本日の世界のNewsはこの3本を選びました。「耐圧2200VのGaNパワーFETをPower Integrationsが開発」、「ファウンドリのTowerがAIデータセンター向けNPO光電変換のInnolightと共同開発へ」、「InfineonとQualcomm、SDV向けカーコンピュータ開発で提携」、です。最初の2件は、nmの先端プロセスを使わずにAIデータセンター市場に向かうニュースで、最後の記事はこれからのSDVや自動運転に向けた半導体同士の提携です。

GaNパワーデバイスに力を注いでいるPower Integrationsが次世代AIデータセンター、EV急速充電向けなどに向け、耐圧2200VのGaN パワーFETを開発したと発表しました。PowiGaNと称する同社のパワーGaN製品は、最新の800V直流配電のAIデータセンター向けには1250V耐圧の製品を揃えていますが、さらにその先の高電圧直流配電のAIデータセンターなどの用途を想定しています。

耐圧2200VのGaNパワーFETをPower Integrationsが開発
全文：World’s First 2,200-V GaN for Next-Gen High-Voltage Power Systems, ElectronicDesign

ファウンドリのTower SemiconductorとNPO（Near Packaged Optics）のInnolightが次世代AIデータセンター向け光電変換デバイスを共同で開発します。Towerはnmレベルの先端プロセスを持っていませんが、シリコンフォトニクス技術を確立していますので、それをNPOに使い、AIデータセンター向けの光電変換技術を提供します。

ファウンドリのTowerがAIデータセンター向けNPO光電変換のInnolightと共同開発へ
全文：Tower Semiconductor and Innolight Advance High-Performance Near-Package Optics for AI Infrastructure, Tower Semiconductor Press Releases

車載マイコンに強いInfineonと、スマホなどのモバイルプロセッサに強いQualcommが共同でSDV（ソフトウエア定義のクルマ）向けの中央コンピュータを開発します。Infineonは、車載の安全管理やコネクティビティ、メモリ管理に強く、次世独自のAurixマイコンをベースにそのサブシステムを開発します。車載コンピュータに手を広げているQualcommはSnapdragon RideおよびRide Flexのリファレンスプラットフォームを利用して、Snapdragon RideのAI機能をフル活用します。システム状態をモニターし安全システムと調和を取りながら予知可能なリアルタイム制御を実現する計画です。

InfineonとQualcomm、SDV向けカーコンピュータ開発で提携
全文：Infineon and Qualcomm hook up for in-car computing, Electronics Weekly