本日の世界のNewsはこの2本を選びました。「SK HynixがIntelとメモリチップ製造に関して交渉中」、「Micron、次世代サーバ向け512GB DDR5 DRAMモジュールを開発」です。IntelとSK Hynixとの話し合いは、米国にメモリ工場を作りトランプ大統領の望むメイドインアメリカのメモリを増強することになります。メモリメーカーのMicronは、大容量のメモリモジュールをサーバに搭載し、より大きなAIモデル開発に生かそうとするものです。いずれもAI需要の拡大に対応して高集積メモリを製造する動きです。

SK Hynixが米国に建設するメモリ製造工場をIntelと交渉に入りました。交渉内容はまだ推測の段階ですが、Intelが工場を建てる計画だったアイオワ州の工場敷地内にSK Hynixのメモリ工場を設立するのか、合弁企業を設立しメモリ工場を建設するのか、という交渉ではないかと言われています。Intelにとっては資金不足から自社工場建設が遅れていることに対する支援になります。

SK HynixがIntelとメモリチップ製造に関して交渉中
全文：SK Hynix in talks with Intel about deal to make memory chips in US for the first time, sources say, Reuters

MicronはDRAMチップを積層しながらHBMとは異なる仕様の高集積DDR5メモリモジュールを開発しているとロイターが報じています。次世代AIサーバ向けの需要に答えるもので、標準的なRDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）モジュール1枚で512GBのDDR5の容量と最大9200MT/sの転送速度をAMDとIntelが確認中です。このDDR5仕様のDRAMは3次元ICパッケージを使いTSV（Through Silicon Via）でDRAMチップを複数個積層しています。これを24スロットのデユアルソケットサーバ（CPU2個）の基板ボードをコンピュータ筐体に搭載すると最大12TBのメモリを持つサーバが実現します。

Micron、次世代サーバ向け512GB DDR5 DRAMモジュールを開発
全文：Micron Advances Memory Innovation With the World's First Ultra-Dense Module for Next-Generation Servers, Micron Technology Press release