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実用化を加速するSiCパワーデバイス

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SiCパワーMOSFETが従来のIGBT(Integrated Gate Bipolar Transistor)に取って代わると言われ続けて数年たったが、SiCパワー半導体の特性向上は着実に進んでいる。性能を競うというより、実用化を加速する動きが出てきた。また、IoTを駆使して生産性を上げるデジタルトランスフォーメーションが始まった。



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