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7月に最もよく読まれた記事は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ

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7月に最もよく読まれた記事は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東芝メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルを持ち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル方式を採用したもの。平面上で1ビットに相当する領域でありながら、96セル×4ビット/セルの384ビット(48バイト)分の高いメモリ密度を持つ。

第2位の「半導体製造装置、今年も2桁成長、とSEMI予測」は、半導体製造装置の成長見通しを昨年暮れのSEMICON JapanでSEMIが発表していたが、今回のSEMICON Westで見通しを上方修正した発表を報じた。

第3位「メモリ半導体の今:Samsungの最先端、3D XPoint連携、中国の生産化」は、長見晃氏がまとめ、高速DRAM、3D-NAND、3D-Xpointなどメモリの最新動向を伝えた記事である。

第4位「半導体後工程請負OSAT世界トップテンランキング」は、先々月の記事だが、あまり発表されないOSATのランキングなので、少しずつ読まれているようだ。

第5位の「韓国でなかなか育たない非メモリビジネス事情―韓国政府の危機感」は服部毅氏がまとめた記事で、脱メモリを20年以上前から唱えていてもやはりメモリ開発を進めてしまう韓国のメモリ大手メーカーの実態を論じている。この記事の続きは、8月2日に掲載されている。

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