HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へ意気込むSK hynix
SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新規格Zoned UFS（あるいはZUFS 4.0）製品を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024年第3四半期に量産する計画である。経時劣化を改良し製品寿命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功に続き、NANDでもAI応用メモリでの成長を狙う。
この続きを読むにはログインが必要です。
- 画面上部よりログインを行ってください
- ID・パスワードを忘れた方は、IDとパスワードの再発行をご覧ください
- 会員IDをお持ちでない方は、入会方法をご覧ください
