株式会社ニューフレアテクノロジー

hp32nmデザインルール対応。
50kV加速電圧による優れたパターン・フィデリティ
多重描画方式による描画精度（位置、CD）の向上
リアルタイム近接効果補正
照射量補正法によるグローバルCDの高精度な補正
ダイナミックフォーカス機能
ステージ可変速描画及び高電流密度200A/cm2によるスループットの向上
グローバル格子点補正及び各種補正機能によるパターン位置の高精度な補正

最先端デバイスhp32nm生産対応技術を結集
最先端199nm搭載検査装置を製品化
透過反射同時検査120分以内の高速検査を実現

6インチおよび200mmφウェハ対応の枚葉式厚膜エピ成長装置
独自のコア技術により、IGBTなど高電力素子用途の100μmを超える厚膜エピを毎分8μm以上の高速で成長させることが可能
エネルギー効率に優れ、省エネで低コスト、かつ高生産性で高品質のプロセスを提供