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Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを開発

東芝メモリと四日市工場を共有しているWestern Digitalは、64層の3D-NANDフラッシュ技術を使った、4ビット/セルの768Gビット(96Gバイト)メモリを開発した(図1)。従来と同じ数のメモリセルを持つ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ容量は512Gビット(64Gバイト)だったが、これよりも50%増加した。



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