2018年の半導体設備投資をIC Insightsが上方修正、1000億ドル突破へ

図1　2018年の設備投資額を上方修正　出典：IC Insights

この上方修正は、IC Insightsが2018年第1四半期の半導体メーカーの状況、市場の状況、彼らとのディスカッションをベースにしたもの。Samsungは2018年の半導体設備投資の見通しを明らかにしていないものの、2017年の投資が242億ドルと大きかったため、今年は若干少なめの200億ドルに落ち着くとIC Insightsは見ている。2018年第1四半期ではSamsungは67.2億ドルを投資したという。この数字は、その前の3四半期の平均投資額よりもやや大きい。

加えて、今年のメモリ価格の内、NANDフラッシュは生産歩留まりが上がってきたため、その単価は順調に下がってきているが、DRAM価格がまだ下がらず高止まりという異常事態が続いている。このため、設備投資が上振れして上方修正することになる可能性はある。

同じ韓国勢でも、SK Hynixは2017年に81億ドルしか投資しなかったために、今年は42%増の115億ドルを投資するとみられており、これか奏功するとDRAMの単価も下がり、用途はさらに拡張していく。というのは、DRAMはディープラーニングでニューラルネットのニューロン数、レイヤー数の増加により、絶えず書き換えが必要になるためDRAM容量の増加が期待される。AIチップとその応用と共に並列度を上げるのに従い、大容量のDRAMが求められるからだ。

Hynixは今年、韓国内に3D-NAND工場「ファブM15」と、中国の無錫に設立したDRAM工場に力を入れるとみられている。ファブM15は今年の年末よりも前倒しで立ち上がり、無錫工場は当初の19年初めの予定を前倒しして18年末までには稼働することを目標に置いている。